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Si1300BDL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.25
1.00
V GS = 10 V thru 2.5 V
V GS = 2.0 V
0.8
0.6
0.75
0.4
0.50
V GS = 1.5 V
0.2
T A = 25 °C
0.25
T A = 125 °C
0.00
V GS = 1.0 V
0.0
T A = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
2.0
1.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics Curves vs. Temperature
50
40
C iss
30
1.0
V GS = 2.5 V
20
C oss
0.5
0.0
V GS = 4.5 V
10
0
C rss
0.0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
0
4
8
12
16
20
5
4
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 0.4 A
1.6
1.4
V DS - Drain-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 0.25 A
3
2
1
0
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.2
1.0
0.8
0.6
0
150
300
450
600
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (pC)
Gate Charge
Document Number: 73557
S11-2000-Rev. D, 10-Oct-11
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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